PHK4NQ20T,518參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：10,000系列：TrenchMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 4A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1230pF @ 25V功率 - 最大值：6.25W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
