PHK18NQ03LT,518參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：20.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.9 毫歐 @ 25A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.6nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1380pF @ 12V功率 - 最大值：6.25W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SO
