PHK04P02T,518
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PHK04P02T,518參數(shù)：MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：16V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：4.66A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：7.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：528pF @ 12.8V
功率 - 最大值：5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO