PHD38N02LT,118參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：2,500系列：TrenchMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：44.7A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 25A，5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15.1nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：800pF @ 20V功率 - 最大值：57.6W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK
