PHD21N06LT,118參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：TrenchMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：55V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：19A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：70 毫歐 @ 10A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：9.4nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：650pF @ 25V功率 - 最大值：56W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK
