PHD21N06LT,118參數:MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
類別:分立半導體產品-FET - 單標準包裝:2,500系列:TrenchMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):55V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):19A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 10A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):9.4nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):650pF @ 25V功率 - 最大值:56W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63供應商器件封裝:DPAK