NCP5181DR2G參數(shù):IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
類別:集成電路 (IC)-PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷 (TR)配置:半橋輸入類型:非反相延遲時(shí)間:100ns電流 - 峰值:1.4A配置數(shù):1輸出數(shù):2高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):600V電壓 - 電源:10 V ~ 20 V工作溫度:-40°C ~ 125°C安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N