MTP10N10ELG參數(shù):MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductObsolescence01/Jul/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:50系列:-包裝:管件FET類(lèi)型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):100V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):10A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):220毫歐@5A,5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1040pF@25V功率-最大值:1.75W安裝類(lèi)型:通孔封裝:TO-220-3供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB