MTP6P20E
PDF資料下載

MTP6P20E參數(shù)：MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence01/Apr/2004
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1歐姆@3A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：750pF@25V
功率-最大值：75W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB