MTM861270LBF參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETsforPowerManagement產(chǎn)品目錄繪圖： WSSMini6 MTM8612(7,8)0PinOut標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：120毫歐@1A，4V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.1V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：300pF@10V功率-最大值：540mW安裝類型：表面貼裝封裝：WSS迷你型6-F1供應(yīng)商器件封裝：WS迷你型6-F1-B
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