MTM761100LBF參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETsforPowerManagement產(chǎn)品目錄繪圖： MTM76xxxxLBF MTM76xxxxLBFPinOut標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：42毫歐@1A，4V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1200pF@10V功率-最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：WS迷你型6-F1供應(yīng)商器件封裝：WS迷你型6-F1-B
