MTM78E2B0LBF
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MTM78E2B0LBF參數(shù)：MOSFET N-CH DL 20V WSMINI8-F1-B

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品目錄繪圖： WSMini8Package MTM78E2BPinOut
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：25毫歐@2A，4V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.3V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1100pF@10V
功率-最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：WS迷你型8-F1-B
供應(yīng)商器件封裝：W迷你型8-F1