MTD20P06HDLT4
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MTD20P06HDLT4參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 15A DPAK

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation30/Jun/2004
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：15A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：175毫歐@7.5A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：29nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1190pF@25V
功率-最大值：72W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：DPAK-3