MMBFJ110參數(shù):IC SWITCH N-CH 3-SSOT
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-JFET(結(jié)點場效應(yīng)標準包裝:3,000系列:-包裝:帶卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss):10mA @ 15V漏源極電壓 (Vdss):-漏極電流 (Id) - 最大值:-FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):25V不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):4V @ 10nA不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-電阻 - RDS(開):18 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝:3-SMD,鷗翼型供應(yīng)商器件封裝:SuperSOT-3功率 - 最大值:460mW