MMBFJ110參數(shù)：IC SWITCH N-CH 3-SSOT
類別：分立半導體產(chǎn)品-JFET（結(jié)點場效應(yīng)標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：10mA @ 15V漏源極電壓 (Vdss)：-漏極電流 (Id) - 最大值：-FET 類型：N 溝道電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：25V不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）：4V @ 10nA不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-電阻 - RDS（開）：18 歐姆安裝類型：表面貼裝封裝：3-SMD，鷗翼型供應(yīng)商器件封裝：SuperSOT-3功率 - 最大值：460mW
