MMBF170LT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：500mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5歐姆@200mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：60pF@10V功率-最大值：225mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
