IXYB82N120C3H1參數(shù):IGBT 1200V 160A 1040W PLUS264
類別:分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路標準包裝:25系列:XPT™, GenX3™包裝:管件IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,82A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):160ACurrent - Collector Pulsed (Icm):320A功率 - 最大值:1040WSwitching Energy:4.95mJ(開),2.78mJ(關)輸入類型:標準Gate Charge:215nCTd (on/off) A 25°C:29ns/192nsTest Condition:-反向恢復時間 (trr):420ns封裝:TO-264-3,TO-264AA安裝類型:通孔供應商器件封裝:*