IXYN82N120C3H1參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標準包裝：10系列：XPT™, GenX3™IGBT 類型：-配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.2V @ 15V，82A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：105A電流 - 集電極截止（最大值）：50µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：4060pF @ 25V功率 - 最大值：500W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
