IXXX200N65B4參數(shù):IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝:30系列:*包裝:管件IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):1.7V @ 15V, 160A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):370ACurrent - Collector Pulsed (Icm):1000A功率 - 最大值:1150WSwitching Energy:4.4mJ (開), 2.2mJ (關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:553nCTd (on/off) A 25°C:62ns/245nsTest Condition:400V, 100A, 1 歐姆, 15V反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-封裝:TO-247-3安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:PLUS247?-3