IXXN110N65C4H1參數(shù)：IGBT 650V 210A 750W SOT227B
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：*IGBT 類型：PT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：*電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：210A電流 - 集電極截止（最大值）：50µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：*功率 - 最大值：750W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
