IXXN110N65B4H1參數(shù):IGBT 650V 215A 750W SOT227B
類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝:10系列:*IGBT 類(lèi)型:PT配置:?jiǎn)我?br>電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,110A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):215A電流 - 集電極截止(最大值):50µA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):*功率 - 最大值:750W輸入:標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻:無(wú)安裝類(lèi)型:底座安裝封裝:SOT-227-4,miniBLOC供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B