IXTY1R6N50D2參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：70系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：耗盡模式漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.3 歐姆 @ 800mA，0V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：23.7nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：645pF @ 25V功率 - 最大值：100W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應商器件封裝：TO-252，（D-Pak）
