IXTP08N100D2參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：50系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：耗盡模式漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：800mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：21 歐姆 @ 400mA，0V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14.6nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：325pF @ 25V功率 - 最大值：60W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應商器件封裝：TO-220
