IXTP02N50D參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：耗盡模式漏源極電壓(Vdss)：500V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：200mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30歐姆@50mA，0V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@25µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：120pF@25V功率-最大值：1.1W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220配用：EVLB001-ND-KITEVALDIMMABLELIGHTBALLAST
