IXTI12N50P參數(shù):MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖: LeadedTO-263標(biāo)準(zhǔn)包裝:50系列:Polar™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):500V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):12A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):500毫歐@6A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):5.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):29nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1830pF@25V功率-最大值:200W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA供應(yīng)商器件封裝:TO-263