IXTI10N60P參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： LeadedTO-263標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：PolarHV™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：10A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：740毫歐@5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：32nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1610pF@25V功率-最大值：200W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：TO-263
