IXTH10N100D參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：30系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：耗盡模式漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：10A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.4 歐姆 @ 10A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：130nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2500pF @ 25V功率 - 最大值：400W安裝類型：通孔封裝：TO-247-3供應(yīng)商器件封裝：TO-247
