IXSP20N60B2D1參數(shù):IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO220
類別:分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路標準包裝:50系列:-包裝:散裝IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,16A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):35ACurrent - Collector Pulsed (Icm):60A功率 - 最大值:190WSwitching Energy:380µJ(關)輸入類型:標準Gate Charge:33nCTd (on/off) A 25°C:30ns/116nsTest Condition:-反向恢復時間 (trr):30ns封裝:TO-220-3安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB