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IXSN80N60AU1參數(shù)：IGBT 100A 600V SOT-227B
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標準包裝：10系列：-IGBT 類型：-配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3V @ 15V，80A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：160A電流 - 集電極截止（最大值）：1mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：8.5nF @ 25V功率 - 最大值：500W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
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