IXSN50N60BD2參數(shù):IGBT 75A 600V SOT-227B
類別:半導體模塊-IGBT標準包裝:10系列:-IGBT 類型:-配置:單一電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,50A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):75A電流 - 集電極截止(最大值):350µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies):3.85nF @ 25V功率 - 最大值:250W輸入:標準NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝:SOT-227-4,miniBLOC供應商器件封裝:SOT-227B