IXSN35N120AU1參數(shù)：IGBT 70A 1200V SOT-227B
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標準包裝：10系列：-IGBT 類型：PT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：4V @ 15V，35A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：70A電流 - 集電極截止（最大值）：750µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.9nF @ 25V功率 - 最大值：300W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
