IXSK35N120AU1參數(shù):IGBT W/DIODE 1200VLT 70AMP TO264
類別:分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路標準包裝:25系列:-包裝:散裝IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):4V @ 15V,35A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):70ACurrent - Collector Pulsed (Icm):140A功率 - 最大值:300WSwitching Energy:10mJ(關(guān))輸入類型:標準Gate Charge:150nCTd (on/off) A 25°C:80ns/400nsTest Condition:-反向恢復時間 (trr):40ns封裝:TO-264-3,TO-264AA安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264AA