IXSH10N60B2D1
PDF資料下載

IXSH10N60B2D1參數(shù)：IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO247

類別：分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標準包裝：30
系列：-
包裝：散裝
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.5V @ 15V，10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20A
Current - Collector Pulsed (Icm)：30A
功率 - 最大值：100W
Switching Energy：430µJ（關）
輸入類型：標準
Gate Charge：17nC
Td (on/off) A 25°C：30ns/180ns
Test Condition：-
反向恢復時間 (trr)：25ns
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-247