IXGT40N120B2D1參數(shù):IGBT 1200V TO-268
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝:30系列:-包裝:管件IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):3.5V @ 15V,40A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):75ACurrent - Collector Pulsed (Icm):200A功率 - 最大值:380WSwitching Energy:3mJ(關(guān))輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:138nCTd (on/off) A 25°C:21ns/290nsTest Condition:960V,40A,2 歐姆,15V反向恢復(fù)時間 (trr):100ns封裝:TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-268