IXGN82N120C3H1
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IXGN82N120C3H1參數(shù)：IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B

類別：半導體模塊-IGBT
標準包裝：10
系列：GenX3™
IGBT 類型：PT
配置：單一
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.9V @ 15V，82A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：130A
電流 - 集電極截止（最大值）：50µA
不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：7.9nF @ 25V
功率 - 最大值：595W
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
安裝類型：底座安裝
封裝：SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B