IXGN120N60A3D1參數(shù)：IGBT 200A 600V SOT-227B
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標準包裝：20系列：GenX3™IGBT 類型：PT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：1.35V @ 15V，100A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200A電流 - 集電極截止（最大值）：650µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：14.8nF @ 25V功率 - 最大值：595W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
