IXFT70N20Q3參數(shù):MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品: Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝:30系列:HiPerFET™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):200V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):70A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):40毫歐@35A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):6.5V@4mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):67nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):3150pF@25V功率-最大值:690W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-268-3,D³Pak(2引線+接片),TO-268AA供應(yīng)商器件封裝:TO-268