IXFT6N100Q參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：30系列：HiPerFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.9 歐姆 @ 3A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：48nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2200pF @ 25V功率 - 最大值：180W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA供應商器件封裝：TO-268
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