IXFN32N100Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
類別：半導(dǎo)體模塊-FET特色產(chǎn)品： Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：HiPerFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：1000V（1kV）電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：28A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：320毫歐@16A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：6.5V@8mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：195nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：9940pF@25V功率-最大值：780W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
