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IXFN20N120參數：MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
類別：半導體模塊-FET標準包裝：10系列：HiPerFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：20A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：750 毫歐 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 8mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：160nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7400pF @ 25V功率 - 最大值：780W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應商器件封裝：SOT-227B
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