IXFJ32N50Q
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IXFJ32N50Q參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 32A TO-220

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNObsolescence： MultipleDevices11/Oct/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：500V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：32A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：150毫歐@16A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@4mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：153nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3950pF@25V
功率-最大值：360W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3（SMT）標(biāo)片
供應(yīng)商器件封裝：TO-220