IXFH9N80參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：30系列：HDMOS™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：*漏源極電壓 (Vdss)：800V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：900 毫歐 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：130nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 25V功率 - 最大值：180W安裝類型：通孔封裝：TO-247-3供應商器件封裝：TO-247AD
