IXFA6N120P參數(shù):MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:50系列:Polar™ HiPerFET™包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 歐姆 @ 500mA,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):92nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2830pF @ 25V功率 - 最大值:250W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:TO-263(D2Pak)