IXFA4N100P參數(shù):MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:50系列:Polar™ HiPerFET™包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):4A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):3.3 歐姆 @ 2A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):26nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1456pF @ 25V功率 - 最大值:150W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:TO-263(D2Pak)