IXDN75N120參數(shù):IGBT 1200V 150A SOT-227B
類別:半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝:10系列:-IGBT 類型:NPT配置:單一電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):2.7V @ 15V,75A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):150A電流 - 集電極截止(最大值):4mA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):5.5nF @ 25V功率 - 最大值:660W輸入:標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝:SOT-227-4,miniBLOC供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B