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IXBT6N170參數(shù)：IGBT 1700V 12A 75W TO268
類別：分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路標準包裝：30系列：BIMOSFET™包裝：管件IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.4V @ 15V，6A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：12ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：36A功率 - 最大值：75WSwitching Energy：-輸入類型：標準Gate Charge：17nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢復時間 (trr)：1.08µs封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：TO-268
