IXBT32N300參數(shù):IGBT 3000V 80A 400W TO268
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標準包裝:30系列:BIMOSFET™包裝:管件IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):3000V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,32A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80ACurrent - Collector Pulsed (Icm):280A功率 - 最大值:400WSwitching Energy:-輸入類型:標準Gate Charge:142nCTd (on/off) A 25°C:-Test Condition:-反向恢復(fù)時間 (trr):1.5µs封裝:TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-268