IXBT16N170A
PDF資料下載

IXBT16N170A參數(shù)：IGBT 1700V 16A 150W TO268

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：BIMOSFET™
包裝：散裝
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：6V @ 15V，10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：16A
Current - Collector Pulsed (Icm)：40A
功率 - 最大值：150W
Switching Energy：2mJ（開），2.6mJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：65nC
Td (on/off) A 25°C：15ns/220ns
Test Condition：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：360ns
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-268