IRF5810TRPBF參數(shù):MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列設(shè)計(jì)資源: IRF5810TRSaberModel IRF5810TRSpiceModelPCNObsolescence: MultipleDevices14/Dec/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:2個(gè)P溝道(雙)FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):2.9A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):90毫歐@2.9A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):9.6nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):650pF@16V功率-最大值:960mW安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:6-TSOP(0.059",1.50mm寬)供應(yīng)商器件封裝:Micro6?(TSOP-6)