IRF5801TRPBF參數(shù):MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設(shè)計(jì)資源: IRF5801TRPBFSaberModel IRF5801TRPBFSpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):200V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):600mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):2.2歐姆@360mA,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):5.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):3.9nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):88pF@25V功率-最大值:2W安裝類型:表面貼裝封裝:6-TSOP(0.059",1.50mm寬)供應(yīng)商器件封裝:Micro6?(TSOP-6)